Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
- A. Godoy
- , F. Gámiz
- , A. Palma
- , J. A. Jiménez-Tejada
- , J. Banqueri
- , J. A. López-Villanueva
Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva
16
Citas
(Scopus)