Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
A. Godoy
, F. Gámiz
, A. Palma
, J. A. Jiménez-Tejada
, J. Banqueri
, J. A. López-Villanueva
Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva
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(Scopus)
Huella
Profundice en los temas de investigación de 'Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors'. En conjunto forman una huella única.