Low temperature mobility improvement in high-mobility strained-Si/Si1-xGex multilayer MOSFETs

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Low temperature mobility improvement in high-mobility strained-Si/Si1-xGex multilayer MOSFETs'. En conjunto forman una huella única.
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